旋片真空泵在半導體刻蝕（shí）工藝中的應用的目的是把經曝光、顯影後光刻膠微圖形中下層材料的裸露部分去掉，即在下層材料上重（chóng）現與光刻（kè）膠相同（tóng）的圖形。刻蝕是半導體製造工藝，微電子IC製造工藝以及微納製造工藝中的一種相當重要的步驟。是與（yǔ）光刻相（xiàng）聯（lián）係的圖形化處理的一種主要工藝。所謂刻蝕，實際上狹義理解就是光刻腐蝕，先通過光刻將光刻膠進行光刻曝（pù）光處理，然後通過（guò）其它（tā）方式實現（xiàn）腐蝕處理掉所需除去的部分（fèn）。隨著微製（zhì）造工藝的發展，廣義上來講，刻蝕成了通過溶液、反應（yīng）離子或其它機械方式來剝離、去除材料的一種統稱，成為微加工製造的一種普適叫法（fǎ）。

下麵分別介紹Si3N4刻蝕的流程：

半導體刻蝕工藝之（zhī）Si3N4刻蝕：

在903E刻蝕機中（zhōng）刻蝕，刻蝕機內（nèi）通入的氣體有（yǒu）：CF4、NF3、He。氟遊（yóu）離基的作用是使氮化矽被腐（fǔ）蝕，生成物是氣體，被旋片真空泵抽氣抽走。為了加快腐蝕速率可以在（zài）CF4中加入少量氧氣（5%-8%），因為氧能夠抑製F*在反應腔壁的損失，並且：CF4+O2→F* +O*+COF*+COF2+CO+…… （電離）。COF*壽命較長，當它運動到矽片表麵時發（fā）生以下反應從而加速了（le）腐蝕速率（lǜ）：COF*→F* CO （電離），但是氧氣（qì）加多了要腐蝕光刻膠降低選擇比（bǐ）。

刻蝕是（shì）微細加工技術的（de）一個重要（yào）組（zǔ）成部分，微電子學的快速發展推（tuī）動其不斷向前。從總（zǒng）體（tǐ）上來說，刻蝕技術（shù）可分為幹法（fǎ）刻蝕和濕法刻蝕兩種，初期的刻蝕以濕法刻（kè）蝕為主，但隨著器件製作進入微米、亞微米時代，濕法刻蝕（shí）難以滿足越來越高的（de）精度要求。幹法刻蝕技術得以（yǐ）很大進展（zhǎn）。幹法刻蝕一般為通過物理和化學兩個方麵相結合的辦法來去（qù）除被刻蝕的薄膜，因此刻蝕具有各（gè）向異性（xìng），這就可以從根本上改善（shàn）濕法所（suǒ）固有的橫向鑽蝕問題，從（cóng）而滿足微細線條刻蝕的要求（qiú）。常用的刻蝕方法有很多，旋片真空技術（shù）是其中的一種。半導體刻蝕工藝用（yòng）旋片真空泵具有刻速快、選擇比高、各向異性高、刻蝕損傷小、大（dà）麵積（jī）均勻性好、刻蝕斷麵輪廓可控性高和刻蝕表麵平整光滑等優點，近年來（lái），德國旋片（piàn）真空泵被（bèi）廣泛應用在矽、二氧化矽、Ⅲ-Ⅴ族化合物（wù）等材料的刻蝕上，取得了很（hěn）好的刻蝕效果（guǒ），可以滿足（zú）製作超大規模集成（chéng）電路、MEMS、光電子器件等各種微結構器件的要（yào）求。

通過旋片（piàn）真空泵在半導體刻蝕工藝中的應用這個實例（lì），可以反映出（chū）隨著人們對99色在线观看旋（xuán）片真空泵的進一步了解和設（shè）備的進一步完善，真空技術會更加適應刻蝕多樣化的要（yào）求，從而（ér）被越來越多地應用到器件製作工藝中去，成為刻蝕的主流技術，從（cóng）整體上提高器件的製備水平，進一步促進器件水平的提高、結構的更新和集成度的提高，更好地（dì）獲得一個很好的效果。