我們生（shēng）產（chǎn）的為非晶矽薄膜太陽能電池，了解 PECVD設（shè）備及工藝需要對（duì）真空鍍膜（mó）有一個了解，並（bìng）且對（duì）半（bàn）導體物理及（jí）薄膜知識有一定的認識。不同設備和（hé）不同類型規格的薄膜要采用適當（dāng）的分切工藝（yì），設備狀況變化時也可以（yǐ）通過工（gōng）藝調整給予彌補，但工藝調整（zhěng）必（bì）須謹慎。我們先對進口真空（kōng）泵（bèng）及薄膜的基（jī）礎概（gài）念做一個粗略的（de）了解（jiě）。

關於進口真空泵（bèng）及薄膜的基礎概念，東莞市99色在线观看真（zhēn）空科技有限公（gōng）司分為兩個方麵進（jìn）行分（fèn）析。

關（guān）於薄膜（mó）的基礎概念，有以下（xià）幾個方麵。

①薄膜：在（zài）嚴格的學術意義上（shàng），認為隻有聚集厚度小於某（mǒu）一特征厚度的材料才是真正的薄膜，否則便是一般的薄材料。

②特征厚度：是利用物質的某些基本性質在物質聚集厚度很薄的情況下會發生（shēng）異常變化的現（xiàn）象而確定的，即當被選（xuǎn）定為參考（kǎo）的某一物（wù）理性質或機械性質開始顯示（shì）出不同於它通常所具有（yǒu）的特點時的厚度，便是給物質（zhì）的薄膜特征厚度。可以認為（wéi）薄膜是一種（zhǒng）二（èr）維的材料。

③沉積技術：

氣相沉積（將構成薄膜的物質氣化後在沉積到襯底上（shàng））。

液相沉積（在液體中沉積鍍膜）。

氣相沉（chén）積：比較容易控製薄膜的組（zǔ）分（fèn）。

液相沉積：在接近（jìn）於熱平衡的條件下成膜，能獲得較妤的膜質（zhì）。

薄膜的主要性能

①膜厚：越均勻越妤（yú），一般應控製在一個（gè）範圍以內比如5%，這與玻璃（lí）基板尺寸有關。

②膜表麵形貌：通過掃描電子顯（xiǎn）微鏡（SEM）投射電子顯微鏡（TEM）等分析表明顆粒狀態（tài），可獲得薄膜表麵的致密情況，缺陷狀態，退火處理對膜表（biǎo）麵的影響等信息。

③膜（mó）機構特性：用Ⅹ射線衍射分析膜的組成成分，可獲得膜的純度等信（xìn）息。

膜應力：薄膜內部的應力越小越好，通過退火處理可最大程度的釋放膜的內部（bù）應力。

④膜與襯（chèn）底的接觸特性：主要是指（zhǐ）薄膜與（yǔ）襯底之間的附著力，當然附著力越強越（yuè）好，可避免薄膜（mó）出現缺失，開路等。

⑤膜的（de）致密性（xìng）：主要指的是膜層的硬度和抗磨性（xìng）。避免外界劃傷（shāng）引起的開路現膜的化學，熱穩定性。

⑥針對金屬膜層：要求製備出的金屬膜層的電阻率盡可能低，接近體電阻率。

關於進口真空泵的基（jī）礎概念

①真空：低（dī）於一個大氣壓的（de）狀（zhuàng）態就是真空。

②真（zhēn）空（kōng）度：真空狀態下（xià）氣體的稀薄程度。

③標準環境條件：溫度（dù）20°C，相對濕度65%，大（dà）氣（qì）壓力（lì）101325Pa。

④真（zhēn）空特點：氣（qì）體分子平均自由程大；單位麵積上分子與固體表麵碰撞幾率變小；氣體分（fèn）子密度低；剩（shèng）餘氣體對沉積膜的摻雜減小。要想獲得高品質的薄（báo）膜就必須有一個比較理想的本底真空（kōng）。

進（jìn）口真空泵的不同真空（kōng）狀態（tài）下真空工藝應用

⒈粗真空（10000-1000Pa）：氣體狀態與常壓相比隻是分子數量（liàng）的減少，沒有氣體空間特（tè）性的變化，分子間碰撞頻繁，此時的吸（xī）附氣體（tǐ）釋放可以不予考慮，氣體運（yùn）動以粘滯流為主。主要是利用壓力差產生的力來（lái）實現（xiàn）真空力（lì）學應用（真空吸引或運輸固體、液體、膠體等真空吸盤起重，真空過濾）

⒉低真空（1000-0.1Pa）：氣體分子間，分子與器壁間碰撞不相上下，氣體分子密度較小，氣體釋放也可不考慮，氣體運動以（yǐ）中間流為主。利（lì）用氣體分子密度降低可實現（xiàn）無氧化（huà）加熱，利用（yòng）氣壓降低時氣體的熱傳導和對流逐漸消失的（de）原理可以實現真（zhēn）空隔熱及絕緣，利用壓（yā）強（qiáng）降低液體沸點也降低的原理實現真空冷凍和真空幹燥（黑色金屬真空熔煉脫氣，真空絕緣和真空（kōng）隔熱，真空冷凍及千燥，高速空氣動力學實驗中的低壓風洞）。

⒊高真空（0.1-0.0001Pa）：氣體分子間（jiān）相互碰撞（zhuàng）極少，氣體分子與（yǔ）器壁間碰撞頻繁（fán），氣體運動以分子流為主，此時的氣體釋放是影響真空度及抽（chōu）氣時間的一個主要原因。利用氣體分子密（mì）度低，任何物質與氣體殘餘分子發生化學（xué）作用微弱（ruò）的（de）特點進行真空冶金，真空鍍膜（超純金（jīn）屬、半導體材料的真空提純（chún）及精製，真空鍍膜，離子注入、幹法刻蝕等表麵改性，真空器件的生（shēng）產：光電管、各種粒子加速器等）。

⒋超高真空（>0.0000Pa）：氣體分子與器壁的碰（pèng）撞次數極少，氣體空間隻有固體本身的原子，幾部沒有（yǒu）別的分子或（huò）原子的（de）存在，此（cǐ）時壓強的升（shēng）高（gāo）除（chú）了泄漏外主要就是（shì）器壁分子的釋放。應用：宇宙空（kōng）間環境的模擬，大型同步質子加速器的運轉。